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Si1025X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
20
40
V GS = 0 V
16
12
8
V GS = 4.5 V
V GS = 5 V
32
24
16
C iss
C oss
4
0
V GS = 10 V
8
0
C rss
0
200
400
600
8 00
1000
0
5
10
15
20
25
15
I D - Drain C u rrent (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
12
9
I D = 500 mA
V DS = 30 V
V DS = 4 8 V
1.5
1.2
0.9
V GS = 10 V at 500 mA
V GS = 4.5 V at 25 mA
6
0.6
3
0
0.3
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1. 8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
1000
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
V GS = 0 V
10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
100
8
I D = 500 mA
T J = 125 °C
6
4
10
1
T J = 25 °C
T J = - 55 °C
2
0
I D = 200 mA
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71433
S10-2432-Rev. C, 25-Oct-10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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